Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065TF — полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO3PF. Устройство имеет максимальное постоянное обратное напряжение 650 В и максимальный прямой ток 20 А.
- Тип диода: Шоттки
- Технология: SiC
- Максимальное постоянное обратное напряжение: 650 В
- Максимальный прямой ток: 20 А
- Максимальное прямое напряжение: 1,62 В
- Максимальная мощность рассеивания: 33 Вт
- Корпус: TO3PF
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Диод рассчитан на работу с постоянным обратным напряжением до 650 В. Максимальный прямой ток составляет 20 А, а максимальное прямое напряжение — 1,62 В. Максимальный обратный ток равен 20 мкА.
Импульсные характеристики и мощность
Максимально допустимый прямой импульсный ток достигает 70 А. Максимальная мощность рассеивания компонента составляет 33 Вт.
Конструкция и монтаж
Компонент изготовлен по технологии SiC. Полупроводник имеет структуру «двойной, общий катод».
В комплекте поставляется 10 диодов.