Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF10B60D в корпусе TO220F. Это полупроводниковый прибор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 40 А. В комплекте 20 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 40 А
- Максимальная мощность рассеивания: 16,7 Вт
- Корпус: TO220F, штыревой монтаж
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на работу с напряжением до 600 В между коллектором и эмиттером. Максимально допустимый ток коллектора составляет 40 А. Мощность рассеивания ограничена значением 16,7 Вт. Энергия выключения равна 0,16 мДж, а энергия включения — 0,35 мДж.
Конструкция и монтаж
Прибор выполнен в корпусе TO220F с штыревым типом монтажа. В названии товара указан ток 10 А. Напряжение на затворе может изменяться в пределах ±20 В. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер равно 1,53 В.
Комплектация
В наборе поставляется 20 транзисторов ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF10B60D. Заряд затвора составляет 17,4 нКл.