Биполярный транзистор ONSEMI TIP35CG типа NPN в корпусе TO247-3. Устройство рассчитано на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100 В и ток коллектора 25 А при мощности рассеивания 125 Вт.
- Тип транзистора: биполярный, структура NPN
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 25 А
- Максимальная мощность рассеивания: 125 Вт
- Граничная частота передачи: 3 МГц
- Корпус: TO247-3, монтаж выводной
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет граничную частоту передачи 3 МГц. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 100 В, а максимальный ток коллектора — 25 А.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO247-3 с мощностью рассеивания 125 Вт. Тип монтажа — выводной (THT), что предполагает установку в отверстия печатной платы.
Комплектация
В наборе поставляется 10 транзисторов TIP35CG.