Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13N60M2 — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе DPAK. Модель характеризуется рабочим напряжением 600 В и током стока 7 А.

• Напряжение сток-исток 600 В
• Ток стока 7 А и рассеиваемая мощность 110 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 0,38 Ом
• Корпус DPAK (SMD) для поверхностного монтажа
• Технология SuperMesh™
• Защита от электростатического разряда (ESD)
• Набор из 20 транзисторов в комплекте

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В. Максимальный постоянный ток стока составляет 7 А. Рассеиваемая мощность 110 Вт.

Прибор изготовлен по технологии SuperMesh™. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 0,38 Ом. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±25 В.

Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Транзистор имеет встроенную защиту от электростатического разряда (ESD).

Товар поставляется набором из 20 транзисторов.