Полевой транзистор STMicroelectronics STB24N60DM2 — это N-MOSFET с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 11 А. Прибор выполнен в корпусе D2PAK с технологией SuperMesh™ и защитой ESD.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 11 А
• Максимальная мощность рассеивания: 150 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 200 мОм
• Корпус: D2PAK, тип монтажа: поверхностный
• Количество в наборе: 10 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и максимально допустимый ток стока 11 А. Мощность рассеивания составляет 150 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 200 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено значением 25 В.

Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе D2PAK. Используется технология SuperMesh™, а версия устройства имеет маркировку ESD. Канал транзистора — обогащенный (enhancement), полярность — униполярная.

В наборе поставляется 10 штук транзисторов.