Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF7N105K5 — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220FP. Устройство имеет максимальное напряжение 1,05 кВ и ток стока 4 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, канал обогащения)
• Максимальное напряжение сток-исток: 1050 В
• Максимальный ток стока: 4 А (импульсный до 16 А)
• Корпус: TO220FP, штыревой монтаж
• Максимальная мощность рассеивания: 25 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 1400 мОм
• Количество в комплекте: 10 шт.

Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 30 В, а напряжение сток-исток — 1050 В. Максимальный постоянный ток стока равен 4 А, при этом импульсный ток может достигать 16 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) зафиксировано на уровне 1400 мОм.

Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 25 Вт. Компонент выполнен в корпусе TO220FP, который обеспечивает штыревой тип монтажа. Заряд затвора (Qg) равен 11 нКл.

Транзистор имеет канал обогащения и является униполярным. Это определяет его электрические характеристики и способ управления. В набор поставляется 10 транзисторов STMicroelectronics STF7N105K5.