Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN1NK80Z — это полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе SOT223 и имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
• Максимально допустимый ток стока: 0,16 А
• Максимальная мощность рассеивания: 2,5 Вт
• Корпус: SOT223, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор характеризуется максимально допустимым напряжением сток-исток 800 В и максимально допустимым током стока 0,16 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 2,5 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено значением 30 В.

Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD. Тип монтажа — поверхностный, что соответствует корпусу SOT223. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.

В набор поставляется 20 транзисторов.