Диод Шоттки IXYS DCG10P1200HR — это полупроводниковый компонент на технологии SiC в корпусе ISO247™. Компонент характеризуется сверхбыстрым переключением.
- Технология SiC для сверхбыстрого переключения
- Максимальное обратное напряжение 1,2 кВ
- Ток проводимости 12,5 А
- Импульсный ток до 750 А
- Корпус ISO247™ для монтажа в отверстия (THT)
Высокое напряжение и ток
Диод работает с максимальным обратным напряжением 1,2 кВ и током проводимости 12,5 А. Компонент имеет максимальное обратное напряжение 1,2 кВ.
Технология SiC и скорость
Использование карбида кремния (SiC) обеспечивает сверхбыстрое переключение. Использование карбида кремния (SiC) обеспечивает сверхбыстрое переключение.
Низкое сопротивление и импульсная стойкость
Максимальное напряжение проводимости составляет 2,2 В. Диод выдерживает импульсный ток до 750 А.
Конструкция и монтаж
Компонент имеет двойную последовательную структуру полупроводника и предназначен для монтажа в отверстия (THT). Корпус ISO247™.