Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06FP — это полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный в корпусе TO220FP. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В, ток стока 35 А и мощность рассеивания 30 Вт. В комплекте поставляется 20 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, канал обогащения)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 35 А
• Максимальная мощность рассеивания: 30 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 18 мОм
• Корпус: TO220FP, монтаж выводной
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 60 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимальный постоянный ток стока составляет 35 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 18 мОм.

Компонент изготовлен по технологии STripFET™ II и имеет версию ESD. Корпус TO220FP. Тип монтажа — выводной.

В наборе содержится 20 транзисторов STP55NF06FP.