Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7 — это униполярный компонент с технологией STripFET™ F7.## Комплектация

• Ток стока 32 А (постоянный) и 180 А (импульсный)
• Напряжение сток-исток 100 В
• Сопротивление в открытом состоянии 18 мОм
• Рассеиваемая мощность 60 Вт
• Корпус DPAK для SMD-монтажа
• Технология STripFET™ F7
• Комплект: 20 шт.

Сопротивление в открытом состоянии составляет 18 мОм. Этот параметр определяет потери энергии при прохождении тока через транзистор.

Постоянный ток стока составляет 32 А, а импульсный ток — 180 А. Максимальная рассеиваемая мощность равна 60 Вт.

Максимальное напряжение сток-исток равно 100 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Канал типа «обогащенный» (enhancement mode) обеспечивает предсказуемое открывание транзистора при подаче управляющего сигнала.

Компонент выполнен в корпусе DPAK. Монтаж осуществляется по технологии SMD (поверхностный монтаж).