Технические характеристики:

• Тип продукта: высокочастотный усилитель мощности (RF Power Amplifier Module)
• Технология транзисторов: GaN (нитрид галлия / Gallium Nitride)
• Диапазон рабочих частот: 6000–8000 МГц (6.0–8.0 ГГц)
• Выходная мощность: 100 Вт (50 dBm)
• Входной / Выходной интерфейс (разъемы): Вход — SMA-Female / Выход — N-Type Male (N-J) или SMA
• Тип усилителя: широкополосный высокоэффективный модуль усиления ВЧ-сигнала
• Охлаждение: требует установки на внешний массивный радиатор / термоинтерфейс
• Совместимость: модули РЭБ (радиоэлектронной борьбы), системы подавления БПЛА, передатчики СВЧ-диапазона

Особенности и преимущества:

• Передовая технология GaN: Нитрид-галлиевые транзисторы обеспечивают рекордную плотность мощности, высокий КПД и отличную термостойкость по сравнению с классическими Si/GaAs аналогами.
• Высокая выходная мощность (100 Вт / 50 dBm): Гарантирует формирование мощного заградительного или направленного сигнала для подавления каналов управления и видеосвязи БПЛА.
• Широкий частотный диапазон (6–8 ГГц): Покрывает перспективные высокие частоты радиоуправления и спутниковой/видеокоммуникации современных беспилотных систем.
• Надежные ВЧ-интерфейсы: Использование стандартизированных разъемов SMA и N-J обеспечивает надежный контакт, низкое значение КСВН (VSWR) и удобство интеграции в готовые блоки РЭБ.
• Сфера применения: Изготовление и ремонт средств радиоэлектронной борьбы (РЭБ), купольных систем защиты, антидроновых пушек, глушилок и лабораторий испытания СВЧ-оборудования.