Основной

Производитель	STMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания	115 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток	20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток	100 В
Максимально допустимый ток стока	25 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)	45 mOm

Дополнительные характеристики

Состояние

Новое

Основной

Тип монтажа	Поверхностный
Тип транзистора	Полевой

Пользовательские характеристики

Версия	ESD
Гарантийный срок	12 міс
Количество в комплекте	20 шт.
Корпус	D2PAK
Технология	SuperMesh™

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB30NF10T4 — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе D2PAK. Комплект состоит из 20 штук. Основные параметры: напряжение сток-исток 100 В, ток стока 25 А, мощность рассеивания 115 Вт.

Тип транзистора: полевой N-MOSFET
Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
Максимально допустимый ток стока: 25 А
Максимальная мощность рассеивания: 115 Вт
Корпус: D2PAK, поверхностный монтаж
Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры и канал

Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 25 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 45 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 115 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен для поверхностного монтажа в корпусе D2PAK. Используется технология SuperMesh™.

Комплектация и версия

В наборе 20 шт. транзисторов.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB30NF10T4, 100 В, 25 А, D2PAK (20 шт.)

Name: Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB30NF10T4, 100 В, 25 А, D2PAK (20 шт.)
Brand: STMicroelectronics
Price: 3890 UAH
Availability: InStock