Транзистор N-MOSFET STripFET™ II от STMicroelectronics в корпусе DPAK. Модель STD35NF06LT4 рассчитана на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 35 А при мощности рассеивания 80 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 35 А
• Максимальная мощность рассеивания: 80 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 17 мОм
• Корпус: DPAK (поверхностный монтаж)
• Технология: STripFET™ II
• Количество в комплекте: 20 шт.

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 16 В. Максимальный ток стока равен 35 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 17 мОм.

Транзистор изготовлен по технологии STripFET™ II и имеет полевой тип с каналом типа обогащения. Полярность — униполярная. Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

В комплекте поставляется 20 шт. транзисторов.