Диодный модуль DACO Semiconductor CSRI2X50-120 — это полупроводниковый компонент в корпусе SOT227B, содержащий две независимые диодные структуры. Модель изготовлена по технологии SiC (карбид кремния) и рассчитана на максимальное постоянное обратное напряжение 1200 В.

• Максимальное постоянное обратное напряжение: 1200 В
• Максимальное прямое напряжение: 1,6 В
• Прямой ток: 50 А x2
• Корпус: SOT227B
• Технология: SiC
• Структура: двойная независимая

Максимальное постоянное обратное напряжение составляет 1200 В. Максимальное прямое напряжение составляет 1,6 В. Прямой ток (If) равен 50 А для каждой из двух независимых структур, что в сумме дает 50 А x2.

Компонент реализован как диодный модуль с двойной независимой структурой. Корпус SOT227B. Монтаж: винтовой (механический и электрический). Изделие изготовлено по технологии SiC (карбид кремния). Согласно характеристикам, обладает свойством Шоттки.