Диодный модуль SMC DIODE SOLUTIONS S4D80120S2 — это полупроводниковый компонент на технологии SiC, диодный модуль с двойной независимой структурой.
- Технология SiC
- Максимальное обратное напряжение 1,2 кВ
- Ток проводимости 41 А x2 (общий 82 А)
- Корпус SOT227
- Двойная независимая структура диодов
- Импульсный ток до 245 А
Высокое напряжение и ток
Модуль работает с максимальным обратным напряжением 1,2 кВ. Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ. Ток проводимости — 41 А на каждый из двух независимых диодов, общий максимальный ток — 82 А.
Технология SiC и корпус SOT227
Технология изготовления — SiC. Корпус — SOT227. Механическое и электрическое крепление — винтовое.
Структура и импульсные характеристики
Структура — двойная независимая. Максимальный импульсный ток — 245 А. Тип модуля — диодный, свойства — Шоттки.