Модуль IGBT от бренда SEMIKRON DANFOSS, модель SKIIP 12NAB12T4V1. Это полупроводниковый модуль в корпусе MiniSKiiP® 1 с максимальным током коллектора 15 А и напряжением 1,6 кВ.

• Максимальный ток коллектора: 15 А
• Максимальное обратное напряжение: 1,6 кВ
• Мощность рассеивания: 5500 Вт
• Корпус: MiniSKiiP® 1
• Топология: boost chopper, IGBT-мост, диодный мост
• Монтаж: прикручивание и Press-Fit

Модуль рассчитан на максимальную мощность рассеивания 5500 Вт. Максимально допустимый ток коллектора составляет 15 А, а максимальное обратное напряжение — 1,6 кВ. Напряжение между затвором и эмиттером равно ±20 В.

Модуль имеет топологию boost chopper, трехфазный диодный мост, трехфазный IGBT-мост и термистор NTC. Структура полупроводника включает диод и транзистор. Механический монтаж выполняется прикручиванием, а электрический — по технологии Press-Fit.