Диодный модуль DACO Semiconductor DACSB60060CT — это полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) с двойной структурой и общим катодом. Модель рассчитана на постоянное обратное напряжение 600 В и прямой ток 300 А на каждую из двух диодных ветвей.

• Максимальное постоянное обратное напряжение: 600 В
• Максимальное прямое напряжение: 1,45 В
• Прямой ток: 300 А x 2
• Технология: SiC (карбид кремния)
• Структура: двойная, общий катод
• Тип монтажа: винтовой

Модуль имеет максимальное постоянное обратное напряжение 600 В. Максимальное прямое напряжение составляет 1,45 В. Ток проводимости (If) равен 300 А для каждой из двух ветвей.

Компонент изготовлен по технологии SiC (карбид кремния) и имеет структуру «двойная, общий катод». Корпус выполнен в формате Twin tower B. Механический и электрический монтаж — винтовой.