Диодный модуль DACO Semiconductor DACSB80060CT — это полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) с двойной структурой и общим катодом. Модуль рассчитан на постоянное обратное напряжение 600 В и ток проводимости 400 А на каждый канал.

• Технология SiC (карбид кремния)
• Максимальное обратное напряжение: 600 В
• Максимальное прямое напряжение: 1,45 В
• Ток проводимости: 400 А x2
• Двойная структура с общим катодом
• Корпус Twin tower B

Модуль имеет максимальное постоянное обратное напряжение 600 В. Максимальное прямое напряжение составляет 1,45 В. Ток проводимости (If) равен 400 А для каждого из двух каналов.

Компонент изготовлен по технологии SiC (карбид кремния). Структура модуля — двойная, с общим катодом. Корпус типа Twin tower B предназначен для механического и электрического монтажа с помощью винтового крепления.