Диодный модуль DACO Semiconductor DACSB600120CT — это полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) с двойной структурой и общим катодом. Модуль рассчитан на максимальное постоянное обратное напряжение 1200 В и прямой ток 300 А на каждый диод.

• Технология SiC (карбид кремния)
• Максимальное обратное напряжение: 1200 В
• Прямой ток: 300 А x 2
• Максимальное прямое напряжение: 1,6 В
• Корпус: Twin tower B
• Структура: двойная, общий катод

Модуль имеет максимальное постоянное обратное напряжение 1200 В. Максимальное прямое напряжение составляет 1,6 В. Прямой ток (If) равен 300 А для каждого из двух диодов в модуле.

Компонент изготовлен по технологии SiC (карбид кремния) и имеет структуру «двойная, общий катод». Корпус типа Twin tower B обеспечивает механическое и электрическое крепление с помощью винтов.