Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G200N03S2 — это полевой N-MOSFET транзистор с технологией Trench. Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 30 В, ток стока 7 А и мощность рассеивания 2 Вт. Корпус SOP8 обеспечивает поверхностный монтаж.

• Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
• Максимально допустимый ток стока: 7 А
• Максимальная мощность рассеивания: 2 Вт
• Корпус: SOP8
• Тип монтажа: Поверхностный
• Количество в комплекте: 30 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 30 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 7 А. Мощность рассеивания ограничена значением 2 Вт.

Прибор выполнен в корпусе SOP8, предназначенном для поверхностного монтажа. Это полевой транзистор с каналом типа N (N-MOSFET). В комплекте поставляется 30 штук.