•
•
•
•
•
•
Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1, 650 В, 200 А, TO247-4 (3 шт.)
Характеристики и описание
Основной
| Максимальная мощность рассеивания | 357 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 200 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR |
IGBT-транзистор BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1 в корпусе TO247-4 со встроенным диодом SiC SBD. Комплект состоит из 3 единиц с выводным типом монтажа.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 200 А
- Мощность рассеивания: 357 Вт
- Корпус: TO247-4, выводной монтаж
- Комплект: 3 шт.
- Интегрированный диод SiC SBD
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В, а максимально допустимый ток коллектора — 200 А. Максимальная мощность рассеивания равна 357 Вт. Транзистор изготовлен по технологии Field Stop, Trench и имеет интегрированный антипараллельный диод SiC SBD.
Особенности конструкцииКорпус TO247-4, тип монтажа — выводной. Заряд затвора составляет 308 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
КомплектацияВ комплекте поставляется 3 транзистора.
Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1, 650 В, 200 А, TO247-4 (3 шт.)
В наличии
2 510 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Самовывоз
IBAN UA063220010000026005360045578
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
37 254 ₴
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат