Основной
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 45 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12.60 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 290 mOm |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | FDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60FD — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 3 единиц.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 12,6 А
- Мощность рассеивания: 45 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Количество в комплекте: 3 шт.
Прибор является униполярным N-MOSFET транзистором с каналом обогащения. Максимальное напряжение сток-исток составляет 600 В, а постоянный ток стока — 12,6 А. Мощность рассеивания равна 45 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.
Технология и сопротивлениеТранзистор изготовлен по технологии FDmesh™, что влияет на его электрические параметры. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 0,29 Ом. Допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением ±30 В.
Монтаж и комплектацияТранзисторы имеют корпус TO220-3 и предназначены для монтажа на плату (THT). В комплекте поставки находится 3 транзистора STP20NM60FD.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60FD, 600В, 12,6А, TO220-3 (3 шт.)
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность