Набор из 20 транзисторов N-MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60 в корпусе SOT223. Транзистор N-MOSFET с напряжением сток-исток 600 В.

• Напряжение сток-исток 600 В
• Ток стока 0,4 А
• Рассеиваемая мощность 3,3 Вт
• Корпус SOT223, монтаж SMD
• Защита ESD и технология SuperMesh™
• Набор из 20 транзисторов

Транзисторы выдерживают напряжение сток-исток до 600 В и ток стока 0,4 А. Подходит для применений, требующих работы с высоким напряжением.

Версия ESD обеспечивает дополнительную защиту от электростатического разряда, что снижает риск повреждения компонентов при монтаже и эксплуатации. Используется технология SuperMesh™.

Корпус SOT223 и тип монтажа SMD обеспечивают компактное размещение на печатных платах. Рассеиваемая мощность составляет 3,3 Вт.

В комплекте 20 транзисторов. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а сопротивление в открытом состоянии — 8,5 Ом. Монтаж выполняется методом SMD.