IGBT-транзистор STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 в корпусе TO247-3 для монтажа на плату. Комплект состоит из 5 элементов с номинальным напряжением 650 В и током коллектора 75 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 75 А (225 А в импульсе)
- Рассеиваемая мощность: 357 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Комплектация: 5 шт.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 75 А. В импульсном режиме ток может достигать 225 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 357 Вт, а напряжение на затворе ограничено ±30 В.
Корпус и монтаж
Элемент выполнен в корпусе TO247-3. Монтаж осуществляется выводами в отверстия печатной платы (THT). Общий заряд затвора равен 207 нКл.
Встроенный диод
В конструкцию транзистора интегрирован антипараллельный диод.