Основной
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 450 mOm |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11NM60ND — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 10 А. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO220FP для монтажа на плату (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 10 А (импульсный до 40 А)
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Рассеиваемая мощность: 25 Вт
- Количество в комплекте: 5 шт.
Прибор выдерживает напряжение между выводами стока и истока до 600 В. Номинальный ток стока составляет 10 А, а импульсный ток может достигать 40 А. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,45 Ом, что влияет на тепловые потери при работе. Максимальная рассеиваемая мощность ограничена 25 Вт.
Корпус и монтажТранзистор выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа THT (through-hole technology) означает, что выводы проходят сквозь отверстия в печатной плате и припаиваются с другой стороны.
КомплектацияКомплект содержит 5 транзисторов STF11NM60ND.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11NM60ND, 600 В, 10 А, TO220FP (5 шт.)
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность