Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2NK100Z — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Модель рассчитана на высокое напряжение 1000 В и ток стока 1,16 А.

• Напряжение сток-исток: 1000 В (1 кВ)
• Ток стока: 1,16 А
• Рассеиваемая мощность: 70 Вт
• Корпус DPAK для SMD-монтажа
• Технология SuperMesh™ и защита ESD
• Набор из 10 транзисторов

Транзистор выдерживает напряжение сток-исток до 1000 В (1 кВ) и имеет рассеиваемую мощность 70 Вт. Эти параметры определяют электрические характеристики компонента. Сопротивление в открытом состоянии составляет 8,5 Ом, что определяет тепловые потери при работе.

Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Версия ESD включает встроенную защиту от электростатических разрядов. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.

Товар поставляется набором из 10 штук. Корпус DPAK предназначен для SMD-монтажа. Канал транзистора — обогащенный (enhancement mode), что означает отсутствие тока при нулевом напряжении на затворе.