Полупроводниковый модуль IGBT от бренда Semikron Danfoss, модель SKM400GB12E4. Устройство имеет топологию полумоста и максимальный ток коллектора 400 А.

• Максимальный ток коллектора: 400 А
• Максимальное обратное напряжение: 1200 В
• Корпус: SEMITRANS3
• Топология: полумост IGBT
• Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В

Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,2 кВ. Максимально допустимый ток коллектора составляет 400 А. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено уровнем ±20 В.

Корпус выполнен в стандарте SEMITRANS3. Внутренняя структура полупроводника реализована по схеме «транзистор/транзистор». Механическое крепление осуществляется с помощью болтов (прикручиваемое). Электрическое подключение предусматривает использование коннекторов FASTON или болтового соединения.