Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN6140LQ-13 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Пакет содержит 60 единиц в корпусе SOT23-3 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 1,2 А (постоянный), 10 А (импульсный)
• Корпус: SOT23-3, монтаж SMD
• Рассеиваемая мощность: 0,4 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,17 Ом
• Количество в комплекте: 60 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 1,2 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 10 А.

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,4 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,17 Ом, что влияет на эффективность передачи тока.

Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Заряд затвора составляет 8,6 нКл, что определяет скорость переключения и нагрузку на управляющий узел.