Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW70N60DM2 — это полевой транзистор с каналом обогащения, работающий по технологии MDmesh™ DM2. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 42 А, имеет корпус TO247 для выводного монтажа.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, канал обогащения)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 42 А
• Максимальная мощность рассеивания: 446 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 37 мОм
• Корпус: TO247, выводной монтаж
• Технология: MDmesh™ DM2
• Количество в комплекте: 3 шт.

Транзистор выдерживает максимальное напряжение сток-исток 600 В и напряжение затвор-исток 25 В. Максимально допустимый ток стока составляет 42 А, а мощность рассеивания — 446 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 37 мОм.

Прибор выполнен в корпусе TO247, что обеспечивает выводной тип монтажа. Транзистор является униполярным с каналом обогащения (N-MOSFET). Используется технология MDmesh™ DM2.

В набор поставляется 3 шт. транзисторов STW70N60DM2.