Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW45N60DM2AG — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO247 для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 3 единиц.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 21 А
• Рассеиваемая мощность: 250 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 85 мОм
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Технология: MDmesh™ DM2
• Количество в комплекте: 3 шт.

Прибор является униполярным полевым транзистором с каналом типа N и обогащенным каналом. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 600 В, а постоянный ток стока — 21 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 85 мОм.

Транзистор изготовлен по технологии MDmesh™ DM2. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 250 Вт. Допустимое напряжение на затворе ограничено ±25 В.

В состав товара входят 3 транзистора STW45N60DM2AG.