Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 20 штук в корпусе TO92 Formed для монтажа в отверстия (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 0,5 А (постоянный), 2 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 3 Вт
• Корпус: TO92 Formed, монтаж THT
• Комплектация: 20 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком 600 В и постоянный ток стока 0,5 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 2 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 3 Вт. Напряжение на затворе ограничено ±30 В.

Прибор выполнен в корпусе TO92 Formed. Предназначен для монтажа в отверстия печатной платы. Заряд затвора составляет 11 нКл.