•
•
•
•
•
•
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP, 600 В, 300 мА (30 шт.)
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.30 А |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 300 мА (постоянный), 0,189 А (импульсный)
- Корпус: TO92 Formed, монтаж THT
- Рассеиваемая мощность: 3 Вт
- Комплектация: 30 шт.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком 600 В и постоянный ток стока 300 мА. В импульсном режиме допустимый ток составляет 0,189 А.
Монтаж и комплектацияЭлементы имеют корпус TO92 Formed, что обеспечивает выводы для установки на плату методом THT (сквозной монтаж). В упаковке находится 30 транзисторов.
Мощность и управлениеМаксимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 3 Вт. Напряжение на затворе относительно истока может изменяться в пределах ±30 В.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP, 600 В, 300 мА (30 шт.)
В наличии
2 600 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Самовывоз
IBAN UA063220010000026005360045578
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат