Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8N120K5 — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии MDmesh™ K5.

• Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
• Максимальное напряжение: 1200 В
• Ток стока: 3,5 А (импульсный 12 А)
• Мощность рассеивания: 130 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж выводной
• Комплектация: 5 шт.

Максимальное напряжение стока составляет 1200 В, что определяет рабочий диапазон устройства. Максимально допустимый ток стока равен 3,5 А, а импульсный ток — 12 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 2000 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 130 Вт.

Транзистор имеет тип монтажа «Выводной» и выполнен в корпусе TO220-3. Версия устройства обозначена как ESD. Поляризация транзистора — униполярная.