Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP60NF06 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, разработанный на основе технологии STripFET™ II.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 42 А
- Рассеиваемая мощность: 110 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 16 мОм
- Корпус: TO220-3 (монтаж THT)
- Технология: STripFET™ II
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и выдерживает постоянный ток стока до 42 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 110 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 16 мОм.
Технология и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии STripFET™ II. Корпус TO220-3, монтаж THT (в отверстия).
Комплектация
Товар поставляется набором из 10 транзисторов.