Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80ZFP — это униполярный полевой транзистор с изолированным затвором, рассчитанный на высокое напряжение и ток. Комплект состоит из 10 штук в корпусе TO220FP с монтажом в отверстия (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
• Ток стока: 1,89 А
• Рассеиваемая мощность: 25 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Комплектация: 10 шт.

Напряжение между стоком и истоком составляет 800 В. Ток стока равен 1,89 А, а рассеиваемая мощность — 25 Вт. Напряжение между затвором и истоком — ±30 В.

Компонент выполнен в корпусе TO220FP. Монтаж осуществляется выводами в отверстия (THT). Транзистор имеет версию ESD.

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. В производстве применена технология SuperMesh™. Сопротивление в открытом состоянии составляет 3,5 Ом.