Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP26NM60N — это полевой транзистор с каналом обогащения и технологией MDmesh™ II. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В, а максимально допустимый ток стока — 12,6 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, канал обогащения)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 12,6 А
• Максимальная мощность рассеивания: 140 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 135 мОм
• Корпус: TO220-3, тип монтажа: вставной
• Количество в комплекте: 5 шт.

Максимальное напряжение сток-исток составляет 600 В, а напряжение затвор-исток — 30 В. Максимально допустимый ток стока составляет 12,6 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 135 мОм.

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 140 Вт. Корпус: TO220-3. Тип монтажа: вставной. Транзистор является униполярным с обогащаемым каналом.

В комплекте поставляется 5 транзисторов STP26NM60N.