Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM50FD — это униполярный прибор с каналом обогащения, разработанный по технологии FDmesh™. Комплект состоит из 5 элементов в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 500 В
• Ток стока: 14 А (постоянный), 80 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 192 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Комплектация: 5 шт.

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 500 В и постоянный ток стока 14 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает 80 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 192 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 0,25 Ом.

Производитель STMicroelectronics применяет технологию FDmesh™. Заряд затвора составляет 53 нКл. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.

Элементы выполнены в стандартном корпусе TO220-3, предназначенном для выводного монтажа (THT). Монтаж выполняется в отверстия печатной платы (THT).