Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18NM80 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 800 В. Комплект состоит из 3 элементов в корпусе TO220-3 с выводами для монтажа в отверстия (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
• Ток стока: 10,71 А
• Рассеиваемая мощность: 190 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Количество в комплекте: 3 шт.

Транзистор выдерживает напряжение между стоком и истоком 800 В и максимальный ток стока 10,71 А. Напряжение на затворе может составлять ±30 В, а сопротивление в открытом состоянии равно 0,295 Ом. Рассеиваемая мощность составляет 190 Вт.

Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с выводами для монтажа в отверстия (THT). Применение технологии MDmesh™ влияет на характеристики прибора.