Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12N60M2 — это униполярный прибор с каналом обогащения, разработанный по технологии MDmesh™ M2. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).

• Набор из 10 транзисторов N-MOSFET
• Напряжение сток-исток 600 В
• Ток стока 5,7 А (36 А в импульсе)
• Корпус TO220-3 для монтажа THT
• Технология MDmesh™ M2
• Рассеиваемая мощность 85 Вт

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 5,7 А. В импульсном режиме допустимый ток стока достигает 36 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,45 Ом, а максимальная рассеиваемая мощность — 85 Вт.

Прибор изготовлен по технологии MDmesh™ M2. Заряд затвора равен 16 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±25 В.

Транзисторы имеют корпус TO220-3 и предназначены для выводного монтажа (THT). В комплекте идут 10 одинаковых транзисторов.