Набор из 5 транзисторов N-MOSFET STP10NK80Z от STMicroelectronics в корпусе TO220-3. Компоненты предназначены для работы с напряжением до 800 В и током до 6 А, имеют защиту от электростатического разряда (ESD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
• Ток стока: 6 А
• Мощность рассеивания: 160 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Защита ESD и технология SuperMesh™
• Количество в наборе: 5 шт.

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 800 В, а допустимый ток стока — 6 А. Мощность рассеивания составляет 160 Вт.

Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™, что влияет на его характеристики. Монтаж выполняется методом THT (сквозной монтаж) в корпусе TO220-3. Наличие версии ESD обеспечивает защиту от электростатического разряда во время эксплуатации.

В комплекте поставляется 5 транзисторов.