Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP105N3LL — это силовой полупроводниковый прибор с каналом обогащения, разработанный по технологии STripFET™ H6. Комплект состоит из 20 единиц в корпусе TO220-3 для монтажа в отверстия (THT).

• Ток стока: 105 А
• Импульсный ток: 320 А
• Напряжение сток-исток: 30 В
• Сопротивление в открытом состоянии: 4,5 мОм
• Рассеиваемая мощность: 140 Вт
• Корпус: TO220-3 (THT)
• Комплект: 20 шт.

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 105 А и импульсный ток до 320 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 140 Вт.

Напряжение сток-исток (VDS) равно 30 В, а напряжение затвор-исток (VGS) — ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) составляет 4,5 мОм. Общий заряд затвора (Qg) — 42 нКл.

Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с выводами для установки в отверстия печатной платы (THT). Транзистор является униполярным (unipolarny) с каналом обогащения (wzbogacany).