Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP100N10F7 — это полупроводниковый прибор с технологией STripFET™ F7. Модель имеет напряжение 100 В и ток 70 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET с обогащением канала
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Постоянный ток стока: 70 А
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- В комплекте: 10 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 70 А. В импульсном режиме ток может достигать 320 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 150 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 8 мОм.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в корпусе TO220-3. Монтаж осуществляется методом установки в отверстия (THT).
Комплектация
Товар поставляется набором из 10 транзисторов.