Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWT40H65DFB — это полупроводниковый прибор в корпусе TO3P для монтажа на плату. Комплект состоит из 5 элементов с номинальным напряжением 650 В и током коллектора 40 А.

• Тип транзистора: IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Ток коллектора: 40 А
• Рассеиваемая мощность: 283 Вт
• Корпус: TO3P, монтаж THT
• Комплектация: 5 шт.

IGBT-транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 40 А. В импульсном режиме прибор выдерживает ток до 160 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 283 Вт, что определяет тепловой режим работы.

Транзистор имеет встроенный антипараллельный диод. Напряжение на затворе ограничено ±20 В, а заряд затвора равен 0,21 мкКл. Монтаж выполняется выводами в отверстия платы (THT) в корпусе TO3P.