Транзистор IGBT STGW30NC60KD от STMicroelectronics в корпусе TO247-3. Устройство рассчитано на максимальное напряжение 600 В и ток коллектора 28 А при мощности рассеивания 200 Вт.

• Тип транзистора: IGBT
• Максимальное напряжение: 600 В
• Максимальный ток: 28 А
• Мощность рассеивания: 200 Вт
• Корпус: TO247-3
• Количество в наборе: 5 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 600 В и выдерживает ток коллектора до 28 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 200 Вт. Заряд затвора (gate charge) равен 96 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.

Компонент выполнен в корпусе TO247-3 с выводным типом монтажа. Встроенный антипараллельный диод интегрирован в структуру транзистора.

В наборе поставляется 5 транзисторов.