Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP8NC60KD в корпусе TO220AB. Комплект состоит из 20 единиц. Основные параметры: напряжение коллектор-эмиттер 600 В, ток коллектора 8 А, мощность рассеивания 65 Вт.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Ток коллектора: 8 А
- Мощность рассеивания: 65 Вт
- Корпус: TO220AB
- Заряд затвора: 19 нКл
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В и ток коллектора 8 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 65 Вт. Заряд затвора равен 19 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтаж
Изделие выполнено в корпусе TO220AB с выводным типом монтажа. Интегрированная антипараллельная диодная структура является частью компонента. Тип транзистора — полевой (IGBT).
Комплектация
В наборе 20 транзисторов STGP8NC60KD.