Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP10NC60KD — полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB. Комплект состоит из 20 единиц. Основные параметры: максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 600 В, ток коллектора 10 А, мощность рассеивания 65 Вт.

• Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
• Ток коллектора: 10 А
• Мощность рассеивания: 65 Вт
• Корпус: TO220AB
• Тип монтажа: выводной
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор рассчитан на высокое напряжение: максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В. Максимально допустимый ток коллектора равен 10 А. Максимальная мощность рассеивания — 65 Вт. Согласно данным магазина, заряд затвора — 19 нКл, а напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.

Прибор выполнен в корпусе TO220AB. Тип монтажа — выводной (THT). Транзистор имеет встроенный антипараллельный диод (integrated anti-parallel diode). Тип транзистора: IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором).

В комплекте 20 шт. транзисторов.