Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF8N80K5 — полевой транзистор с обогащенным каналом, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 800 В и ток стока 6 А. Прибор выполнен в корпусе TO220FP с выводным монтажом, максимальная мощность рассеивания составляет 25 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
• Максимально допустимый ток стока: 6 А
• Корпус: TO220FP, выводной монтаж
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 950 мОм
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В и напряжение затвор-исток 30 В. Максимально допустимый ток стока равен 6 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 950 мОм. Максимальная мощность рассеивания составляет 25 Вт.

Прибор изготовлен в корпусе TO220FP, что обеспечивает выводной тип монтажа. Транзистор является полевым, с каналом типа «обогащение» (wzbogacany) и униполярной поляризацией. Заряд затвора составляет 16,5 нКл, а импульсный ток стока — 24 А.

В комплекте поставляется 10 транзисторов.