Полевой транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD96N3LLH6 в корпусе DPAK. С напряжением сток-исток до 30 В и током стока до 80 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
• Максимально допустимый ток стока: 80 А
• Максимальная мощность рассеивания: 70 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 4.2 мОм
• Корпус: DPAK, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 30 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 30 В и максимально допустимый ток стока 80 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 70 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 4.2 мОм.

Компонент выполнен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе DPAK. Тип транзистора — полевой, канал обогащения (enhancement mode). Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В.

Максимальный импульсный ток стока составляет 320 А, а заряд затвора — 20 нКл. В комплекте поставляется 30 шт. транзисторов.