Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD60NF55LT4 — это полевой транзистор с индуцированным каналом в корпусе DPAK. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 55 В и ток стока 42 А.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET с индуцированным каналом
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 В
• Максимально допустимый ток стока: 42 А
• Максимальная мощность рассеивания: 110 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 17 мОм
• Корпус: DPAK, тип монтажа: поверхностный
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 55 В и максимально допустимый ток стока 42 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 110 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 17 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 15 В.

Компонент выполнен в поверхностном корпусе DPAK. Используется технология SuperMesh™. Транзистор является однополярным (unipolarny) с индуцированным каналом (wzbogacany). Версия: ESD.

В наборе поставляется 20 шт. транзисторов.