Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2LN60K3 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 600 В. Товар поставляется комплектом из 100 штук в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 1,26 А
• Рассеиваемая мощность: 45 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 4,5 Ом
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Комплектация: 100 шт.

Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 1,26 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 4,5 Ом, что определяет тепловые потери при коммутации. Максимальная рассеиваемая мощность равна 45 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.

Транзисторы поставляются набором из 100 штук. Модель STD2LN60K3 является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения.